ICT道理介绍：

一.隔离 ( Guarding )道理

隔离为ICT量测很沉要的一种利用技术，乃是将待测零件相衔接的零件赐与隔离，使待测零件的量测不受影响，如下图所示，利用运算放大器设计之电压随耦器，使输出电压 ( VG )与其输入电压 ( VA )相称，及运算放大器之两输入端间虚地 ( Virtual Ground )的道理，使得与待测零件相连的零件之两端同电位，而不会产生分流来影响待测零件的量测，如同是已将将待测零件相衔接的零件赐与隔离。

经由隔离之执行后，流经R1的电流几近零，不致影响R之量测。

由于VG=VA，因而I3=0

所以R1=V/I1

 

隔离 ( Guarding )根基道理图

 

 

定电流丈量法

如下图所示，为被使用丈量大电阻的丈量法，乃是利用欧姆定律 ( Ohm’s Law )：R = V / I，提供定电流源至待测电阻，再由其两端所量测之电压值，来推算待测电阻之阻值。

 

定电流/电压丈量法

如下图所示，为常被使用之电阻的丈量法，乃是利用反相放大器 ( Inverting Amplifier )道理：Vo = -Vi * Rf / R，推算出待测电阻Rdut= -Vi * Rf / Vi。

二.电容器的测试道理
 

如上图所示利用运算放大器 ( OPA )之反相放大道理：Vo = -V * R / Xc，其中Xc =1/ ( 2pfC )乃电容所产生的电抗，f为互换定电压的频率，再以角加快率『w = 2pf』来代表，则可由公式：C ＝ -Vo / ( V * w * R )，来推算出电容之值

 定电流丈量 ( MODE C )

当电容值为10uF以上时，推算机遇自动设定DC电容量测法。此法是用DC定电流来使待测电容充电，而后由充电的功夫可算出电容值

如上图所示由于在充电电压与其充电功夫成线性关系，故可由其斜率，来推算出待测电容之值。

三.电感器的测试道理



如上图所示利用运算放大器 ( OPA )之反相放大道理：Vo = -V * R / XL，其中XL = ( 2pfL )乃电感所产生的电抗，f为互换定电压的频率，再以角加快率『w = 2pf』来代表，则可由公式：L ＝- V * R  / (w * V0 )，来推算出电感之值。

四.通常二极管的测试步骤 (MODE D)

二极管选取如下图所示之顺向电压丈量法，来分辨二极管的曲直，正常的硅 ( Silicon )二极管之顺向电压约为0.7V，而锗 ( Germanium )二极管之顺向电压约为0.3V。

五.晶体管的丈量道理 ( 三端点 ) ( MODE TR )

晶体管的丈量步骤如下图从晶体管的基极 ( Base )送脉波电压，由于晶体管工作于鼓和状态 ( Saturation Status )时集极与射极之间所丈量的电压 ( Vce )会幼于0.2V以下，因而可藉之来分辨晶体管的曲直。

 

六.短/开路的测试道理 ( Open/Short Test )

进建短路表 ( Learning Short Pin Group Table )

短／开路 (  Open/Short ) 的测试数据可由进建一个良品的电路板而得。当进建时，推算机遇丈量肆意两个测试点 ( Test point )之间的阻值，而后产生一个短路表 ( Short Pin Group Table )，进建时，肆意两点间的阻值幼于20Ω(初使值)即被判定两点间为短路，不然为开路。

短/开路测试

短／开路测试是凭据上述短路表的资料来做测试；先做短路测试 ( Short Test )再做断路测试 ( Open Test )，注明如下 ：

开路测试是测试在统一短路群 ( Short Pin Group )里的每一测试点间 ( Test point )是否有断路景象，判断开路的基准阻值是80Ω(初使值)；也就是说肆意二点间的阻值若是大于80Ω(初使值)，则被判定为开路谬误 ( Open Fail )。

 

短路测试是测试肆意一短路群的测试点和其它短路群的测试点之间，是否有短路景象，判断短路的基准是5Ω(初使值)；也就是说，若是肆意两点间的阻值是幼于5Ω(初使值)，则被判定为短路谬误 ( Short Fail )。